落球回弹试验仪,介电击穿强度测定仪

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  • 产品名称:四探针薄膜电阻测试仪器

  • 产品型号:FTDZS-I
  • 产品厂商:北京冠测
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简单介绍:
该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准,并参考美国 ASTM 标准而设计的,专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。 仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成,测量数据既可由主机直接显示,亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析,然后以表格,图形方式统计分析显示测试结果。
详情介绍:

测量半导电电阻率时: 电阻率10-4--105Ω-cm;分辩率10-6Ω-cm

                      测量其他(落球回弹试验仪,介电击穿强度测定仪)电阻时: 电阻10-4--2X105Ω,分辨率1uΩ

二、 金额电流电压表: 1.  测量范围 2 mV、20 mV、200 mV、2V 2.  量测粗差  2mA档±(0.5%读数+8字);20mV—2V挡±(0.5%读数+2字) 3.  表明4 1/2 个数字表明0—19999含有旋光性和超负荷自动式式表明,小数点、政府部门自动式式表明。 三、 恒流源: 1.  直流电压输出电压:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA. 2.    工作电流确定误差:±(0.5%读数+2字)




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